산화공정단계1 반도체 8대 공정 2. 산화 공정 반도체 8대 공정 중 두번째 과정인 산화 공정 단계에 대해 설명드리도록 하겠습니다. 산화공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정입니다. 이 산화막은 반도체 소자를 보호하며 전기적으로 분리하는 역할을 합니다. 산화공정은 아래 6가지 단계를 거치게 됩니다. 1. 클리닝 (Cleaning) 산화 공정이 시작되기 전에 웨이퍼 표면을 깨끗하게 세정하는 단계입니다. 이 단계에서는 먼지, 오염 물질, 기타 불순물을 제거하여 웨이퍼 표면을 완전히 깨끗하게 합니다. 2. 산화 공정 시작 (Oxidation Process Start) 웨이퍼는 산화로 이동하여 산소와 함께 높은 온도에서 처리됩니다. 이때 산소화 웨이퍼 표면이 반응하여 산화막을 형성하게 됩니다. 3. 산화막 성장 (Growth of Ox.. 2023. 10. 3. 이전 1 다음
